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掃描電子顯微鏡（SEM）利用電子束從納米尺度的樣品中獲取信息。所檢測(cè)到的主要信號(hào)類型是背散射電子（BSE）和二次電子（SE），它們?cè)诟弑堵氏律蓸悠返幕叶葓D像。然而，還有許多其他的電子與樣品表面物質(zhì)相互作用的產(chǎn)物——這些信號(hào)可以提供關(guān)于樣品的額外信息。在這篇博客中，我們將闡述掃描電鏡中的能譜（EDX）是如何工作的。

電子 —— 與樣品表面的相互作用

入射電子與樣品表面的物質(zhì)相互作用產(chǎn)生了各種各樣的信號(hào)，這些信號(hào)攜帶了關(guān)于樣品的不同信息 （圖1）。例如，背散射電子產(chǎn)生的圖像與原子序數(shù)的差異有關(guān); 二次電子給出了形貌細(xì)節(jié)信息，陰極發(fā)光可以提供關(guān)于電子結(jié)構(gòu)和材料化學(xué)成分的信息; 透射電子可以描述樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和晶體學(xué)。在掃描電鏡中廣泛使用的另一種信號(hào)是X射線。

圖1：電子物質(zhì)相互作用中產(chǎn)生不同信號(hào)的例證。

掃描電鏡中能譜的原理

每個(gè)原子都有一個(gè)*的電子數(shù)，它們?cè)谔囟ㄎ恢玫恼l件下存在，如圖2所示。這些位置屬于特定的軌道，它們擁有不同的、離散的能量。

SEM中X射線的生成一共有兩個(gè)步驟。在*步中，電子束撞擊樣品并將部分能量轉(zhuǎn)移到樣品的原子上。這種能量可以被原子的電子用來“跳躍”到具有更高能量的能量軌道，或者是脫離原子。如果發(fā)生這樣的轉(zhuǎn)變，電子就會(huì)留下一個(gè)空位?？瘴幌喈?dāng)于一個(gè)正電荷，在這個(gè)過程的第二步，空位會(huì)吸引來自高能量軌道的電子填補(bǔ)進(jìn)來。當(dāng)這樣一個(gè)高能量軌道的電子填滿了低能量軌道的空位時(shí)，這種轉(zhuǎn)換的能量差可以以X射線的形式釋放出來。

X射線的能量是通過這兩個(gè)軌道之間能量差的特征所展現(xiàn)出來的。它取決于原子序數(shù)，是每個(gè)元素的*屬性。所以，X射線是每個(gè)元素的“指紋”，可以用來識(shí)別樣品中存在的元素的類型。

圖2：X射線生成過程：1）將能量轉(zhuǎn)移到原子電子上，使其脫離生成一個(gè)空位，2）空位由更高能量的另一個(gè)電子填充，并釋放出X射線。

EDX能譜分析：X射線如何工作

與BSE，SE和TE不同，X射線是電磁輻射，就像光一樣，由光子組成。為了檢測(cè)它們，的系統(tǒng)使用了硅漂移探測(cè)器（SDD）。由于其具有更高的計(jì)數(shù)率、更好的分辨率和更快的分析能力，都優(yōu)于傳統(tǒng)的Si（Li）探測(cè)器。這些探測(cè)器被置于一個(gè)特定角度，非常接近樣品，并且有能力測(cè)量X射線的光子能量。探測(cè)器與樣品之間的立體角越高， X射線檢測(cè)概率越高，因此獲得*結(jié)果的可能性也越大。

圖3： 典型的EDX光譜：y軸描述X射線數(shù)量，x軸是X射線的能量。峰的位置是對(duì)元素的識(shí)別，峰高有助于對(duì)樣品中各元素濃度的量化。

由EDX分析產(chǎn)生的數(shù)據(jù)包含了樣品中所有不同元素對(duì)應(yīng)的峰值的光譜。在圖3中可以看到，每一個(gè)元素都有*能量的特征峰。

此外，EDX可以用于定性（元素的類型）以及定量（樣本中每個(gè)元素的濃度百分比）的分析。在大多數(shù)SEM中，軟件可以自動(dòng)識(shí)別峰值，并計(jì)算檢測(cè)到的每個(gè)元素的原子百分比。EDX技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，它是一種非破壞性的表征技術(shù)，需要很少或不需要樣品的制備。

Phenom ProX電鏡能譜一體機(jī)（2017提高版）

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產(chǎn)品參數(shù)

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線掃描

面掃描

示例——金相樣品

Phenom ProX電鏡能譜一體機(jī)能譜測(cè)試——面掃（Mapping計(jì)數(shù)率高達(dá)1.3萬CPS，Mapping結(jié)果更準(zhǔn)確）

Phenom ProX電鏡能譜一體機(jī)能譜測(cè)試——線掃

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